中芯世界称第二代FinFET已进入小量试产

  中芯世界在互动渠道上答复投资者时表明，第二代FinFET 已进入小量试产。

  在答复投资者 “近来公司7 纳米产品出产研制发展怎么？”的问题时，中芯世界表明，公司第一代 FinFET 14nm 已于 2019 年四季度进入量产，第二代 FinFET 已进入小量试产。

  IT之家了解到，中芯世界于 2019 年完成了国内最先进的 14nm 工艺制程量产，并已为华为麒麟 710A芯片等进行代工。

  本年9月份，投资者向中芯世界求证中芯关于下一代芯片量产音讯，中芯世界答复表明：中芯世界第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年末进行小批量试产。

  本年10月份， 我国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）宣告已完成全球首个根据中芯世界 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测验，一切 IP 全自主国产，功用一次测验经过。关于N+1工艺，中芯世界联合CEO梁孟松本年初曾泄漏，该工艺在功率和安稳才能方面与7nm工艺十分类似，且不需求EUV光刻机，但在功用方面提高还不行，所以N+1工艺是面向低功耗使用范畴的。其曾表明，中芯世界N+1工艺和14nm比较，功用提高20%，功耗下降57%，而7nm商场基准功用提高应该是35%。

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